De când iPhone-ul a adoptat ecranul tactil capacitiv proiectat, un număr mare de scheme de proiectare structurală au apărut într-o perioadă scurtă de timp. Caracteristica ecranului tactil capacitiv de proiecție este că senzorul se află sub suprafața ecranului tactil și este acoperit cu sticlă de protecție. Unele produse noi aflate în curs de dezvoltare adoptă un design cu o singură parte-, adică toate straturile de detectare sunt proiectate pe o parte a unui singur substrat. În acest design actual al ecranului tactil capacitiv proiectat cel mai subțire, fiecare strat folosește un proces de pulverizare cu mai multe-strat. Pe baza principiului de bază al ecranului tactil capacitiv proiectat cu două straturi conductoare transparente, se pot face diferite modificări în design. De exemplu, utilizarea firelor ultra-fine (10 ni) poate înlocui un anumit strat, reducând astfel pulverizarea unui strat de ITO. În prezent, majoritatea telefoanelor mobile și plăcilor de colectare a semnăturilor de pe piață sunt acoperite cu ITO pe diferite straturi PET. În plus, ecranele tactile obișnuite folosesc, de asemenea, acoperire cu două-fațe sau sticlă acoperită cu ITO-pe o singură față pe un substrat cu două-strat.
(1) Film pattern
In the projected capacitive touch screen, the ITO film can be designed and etched in a variety of ways, but the manufacturing cost is the same, and due to the high correlation between the touch sensor and the electronic control system, it is difficult to say which pattern is better than other patterns.
The pattern used in the early iPhone's projected capacitive touch screen is the simplest: the ITO on both sides of the glass is etched into 10 columns with a line width of lram and a spacing of 5mm on the front, and the back is etched into 15 rows, with a line width of 5mm and a spacing of 37. In the row arrangement layer of m, the non-connected (isolated) strips are reserved between the 10 columns of the column arrangement layer to maintain a uniform optical effect. This kind of design requires simple technology, but requires strong processing power of the controller to generate precise coordinates.
Cel mai obișnuit model este un diamant care se intercalează (este un pătrat de 45 de grade plasat în diagonală). Insulele de electrozi ale acestui model sunt conectate în mod fiabil (cea mai scurtă conexiune), iar zona ecranului este folosită în cea mai mare măsură pentru a detecta capacitatea degetului. Modelul de diamant este împărțit în complementare. Există două straturi, unul este rânduri orizontale în formă de romb-, celălalt este coloane verticale în formă de romb-, iar intersecția firelor este ca niște poduri mici. Mărimea insulei în formă de diamant- depinde de producător, de obicei între 4 și 8 mm. În prezent, majoritatea ecranelor tactile capacitive proiectate utilizează un model în formă de romb-.
(2) The conductor square resistance of the touch screen is usually processed with 15011/port (unit: n/(m2mil)) ITO coated glass. To form a pattern with a line width of 20pm, it needs to be completed by photoetching technology, such as in LCD panel factories. The photolithography ablation agent used in the process. The thicker the ITO, the smaller the resistance, the better the signal-to-noise ratio, but the light transmittance is poor; on the contrary, the thinner the ITO, the better the light transmittance, but the signal-to-noise ratio is worse. When using PET (transparent plastic, mainly for the production of mineral water bottles) as the substrate, the line width is usually 100 200 jim. Screen printing, photo etching or laser cutting can be used to make a line width of 30 5 (Vm) on PET. The process of the pattern is still under study. In practical applications, there is a third layer IT0 at the bottom as a shielding layer to isolate the interference of the LCD. The shielding layer usually uses a square resistance of 150 300fi/□. The signal line on the touch screen frame is usually It is made of molybdenum/aluminum/molybdenum material, which is also plated after ITO sputtering using a vacuum magnetron sputtering process.
